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RB521ES-30T15R

更新时间： 2024-09-24 15:49:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	1596K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMD0603, DSN0603-2, 2 PIN

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RB521ES-30T15R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-XBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB521ES-30T15R 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB522ES-30

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

General rectification

0.31

lFeatures

1) Small silicon package

(SMD0603)

0～0.030

SMD0603

0.280±0.010

0.260±0.010

0.300±0.010

2) High Accuracy

Manufacturing Dimension

tolerance10mm

Cathode

lStructure

ROHM: SMD0603

3) Low V_F

Anode

lConstruction

lTaping Dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar type

●Absolure Maximum Ratings (Ta=25^oC)

Parameter

Conditions

Limits

Unit

Symbol

V_RM

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

V_R

I_O

100

Reverse Voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin

wave, resistive load,

Average forward rectified current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

ºC

60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive

at T_a=25ºC

I_FSM

T_j

500

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_stg

-40～+150

ºC

●Electrical Characteristics (Tj=25℃)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Max

Symbol

Unit

μA

V_F

I_R

370

Reverse Current

www.rohm.com

2016.12 - Rev.A

1/2

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