RB060M-30

更新时间： 2024-09-08 03:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	165K
描述
Schottky barrier diode

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RB060M-30 数据手册

RB060M-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB060M-30

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

General rectification

1.6±0.1

1.2

zFeatures

1)Small power mold type.

(PMDU)

2) Low I

PMDU

3) High reliability

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

-55 to +150

℃

Storage temperature

Tstg

(*1)Tc=65℃ MAX. Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

0.32

0.36

Typ.

0.4

0.44

Max.

Unit

0.45

0.49

I_F=1.0A

Forward voltage

V_F2

I_F=2.0A

V_R=30V

Reverse current

I_R

µA

ESD break down voltage

ESD

C=200pF , R=0Ωꢀforward and reverse : 1 time

1/3

12 3 4

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RB060M-30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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