RB060M-30TF

更新时间： 2024-09-08 13:12:51

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 30V V(RRM), Silicon, PMDU, 2 PIN

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RB060M-30TF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PMDU, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.49 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	50 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

RB060M-30TF 数据手册

RB060M-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB060M-30

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

General rectification

1.6±0.1

1.2

zFeatures

1)Small power mold type.

(PMDU)

2) Low I

PMDU

3) High reliability

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

-55 to +150

℃

Storage temperature

Tstg

(*1)Tc=65℃ MAX. Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

0.32

0.36

Typ.

0.4

0.44

Max.

Unit

0.45

0.49

I_F=1.0A

Forward voltage

V_F2

I_F=2.0A

V_R=30V

Reverse current

I_R

µA

ESD break down voltage

ESD

C=200pF , R=0Ωꢀforward and reverse : 1 time

1/3

12 3 4

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