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RB063L-30TE25

更新时间: 2024-10-30 12:36:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
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2页 42K
描述
Schottky barrier diode

RB063L-30TE25 数据手册

 浏览型号RB063L-30TE25的Datasheet PDF文件第2页 
RB063L-30  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB063L-30  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zApplications  
High frequency rectification  
For switching power supply  
1.5±0.2  
CATHODE MARK  
zFeatures  
1) Compact power mold type. (PMDS)  
2) Ultra low VF / Low IR.  
3) VRM=30V guaranteed.  
5
5
+0.02  
0.1  
0.1  
2.0±0.2  
2.6±0.2  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : PMDS  
EIAJ :   
JEDEC : SOD-106  
Date of manufacture EX. 1999.12 9, C  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Peak reverse voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VRM  
30  
VR  
30  
V
DC reverse voltage  
I
O
2
A
Mean rectifying current  
Peak forward surge current (60Hz·1  
Junction temperature  
)
I
FSM  
70  
A
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
40 +125  
Storage temperature  
180° half sine wave when mounted on glass epoxy PCBs.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.395  
200  
Unit  
Conditions  
V
F
V
I
F
=2.0A  
=30V  
I
R
µA  
V
R

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