RB060M-30TR

更新时间： 2024-09-08 12:01:31

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	347K
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Schottky barrier diode

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RB060M-30TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	7.92	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.45 V
最大非重复峰值正向电流：	55 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2 A
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

RB060M-30TR 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB060M-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

Features

1) Small power mold type.(PMDU)

2) Low I^R

3) High reliability

PMDU

Construction

0.9±0.1

Silicon epitaxial planar

Structure

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

55 to 150

Tstg

(*1)Tc=65°C MAX. Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

0.32

0.36

Typ.

0.4

Max.

Unit

I_F=1.0A

0.45

0.49

Forward voltage

V_F2

I_F=2.0A

V_R=30V

0.44

Reverse current

I_R

μA

C=200pF , R=0Ω

forward and reverse : 1 time

ESD break down voltage

ESD

www.rohm.com

2011.04 - Rev.C

1/3

12 3 4

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RB060M-30TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RB060MM-30TR	ROHM	类似代替	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, PMDU, 2 PIN

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