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RB068L100TE25

更新时间： 2024-09-14 12:02:51

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
5页	382K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB068L100TE25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	8.5	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.79 V	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	110 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	3 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB068L100TE25 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB068L100

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

lFeatures

1)Small power mold type. (PMDS)

2)High reliability.

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

3)Low I_R.

4)AEC-Q101 qualified

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

lConstruction

Silicon epitaxial planer

lStructure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

Manufacture Date

①

②

lTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ 1.55±0.05

φ 1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

Tstg

-40 to +150

(*1)Mounted on epoxy board,60Hz half sine wave, Tc=83°C Max.

lElectrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.80

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=2.0A

V_R=100V

Reverse current

μA

www.rohm.com

2012.08 - Rev.B

1/4

12 3 4 5

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