RB060M-60

更新时间： 2024-09-08 09:38:03

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB060M-60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	60 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB060M-60 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB060M-60

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

Features

1)Small power mold type. (PMDU)

2)Low I_R.

3)High reliability.

PMDU

Construction

0.9±0.1

Silicon epitaxial

0.8±0.1

Structure

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping dimensions (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. Tc=55°C max.

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.52

0.61

Unit

Conditions

I_F=1.0A

Forward voltage

V_F2

I_F=2.0A

V_R=60V

Reverse current

I_R

μA

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

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