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R6004RND3 (新产品)

更新时间: 2024-11-13 11:14:11
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罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
14页 2346K
描述
R6004RND3 is fast trr power MOSFET, suitable for switching applications.

R6004RND3 (新产品) 数据手册

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R6004RND3  
Nch 600V 4A Power MOSFET  
Datasheet  
llOutline  
*5  
TO-252  
VDSS(@Tj max.)  
650V  
1.73Ω  
±12A  
60W  
RDS(on)(Max.)  
*2  
IDP  
PD  
llFeatures  
llInner circuit  
1) Fast reverse recovery time (trr)  
2) Low on-resistance  
3) Fast switching speed  
4) Drive circuits can be simple  
5) Pb-free plating ; RoHS compliant  
llApplication  
Switching  
Marking  
R6004RND3  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Drain - Source voltage  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
V
VDSS  
*1  
Continuous drain current (T = 25°C)  
ID  
±4  
A
c
*2  
IDP  
Pulsed drain current  
±12  
A
VGSS  
Gate - Source voltage  
±30  
V
*3  
IAS  
Avalanche current, single pulse  
Avalanche energy, single pulse  
Power dissipation (Tc = 25°C)  
Junction temperature  
1.0  
A
*3  
EAS  
52  
mJ  
W
PD  
Tj  
60  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55 to +150  
www.rohm.com  
© 2022 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
1/11  
20220614 - Rev.001  

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