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R6006JNJ

更新时间： 2024-01-16 00:03:50

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罗姆 - ROHM		/
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15页	2249K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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R6006JNJ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

R6006JNJ 数据手册

R6006JNJ

ꢀꢀNch 600V 6A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

lOutline

ꢀ

LPT(S)

V_DSS

600V

0.936Ω

±6A

ꢀ

R_DS(on)(Max.)

ꢀ

I_D

ꢀ

P_D

86W

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llFeatures

llInner circuit

1) Fast reverse recovery time (trr)

2) Low on-resistance

3) Fast switching speed

4) Drive circuits can be simple

5) Pb-free plating ; RoHS compliant

llApplication

llPackaging specifications

Switching

Packing

Embossed Tape

Packing code

Marking

R6006JNJ

1000

Basic ordering unit (pcs)

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

600

Unit

V_DSS

Continuous drain current (T_c= 25°C)

I_D

±6

I_DP

Pulsed drain current

±18

V_GSS

Gate - Source voltage

±30

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

Power dissipation (T_c= 25°C)

1.50

117

E_AS

℃

P_D

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

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20171201 - Rev.001

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