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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 2.17 | 雪崩能效等级（Eas）： | 65 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.83 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R6006PND3FRA | ROHM |
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R6006PND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品 |
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| R6006PND3FRATL | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| R6007END3 | ROHM |
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R6007END3是非常适用于开关电源应用的功率MOSFET。 |
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| R6007ENJ | ROHM |
获取价格 |
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| R6007ENX | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| R6007JND3 | ROHM |
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R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw |
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| R6007JNJ | ROHM |
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R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the swi |
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| R6007JNX | ROHM |
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R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switchi |
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| R6007KND3 | ROHM |
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R6007KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw |
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| R6007KNJ | ROHM |
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R6007KNJ是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。 |
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