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R6006ANX

更新时间： 2024-11-09 06:06:35
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罗姆 - ROHM 驱动
页数 文件大小 规格书
6页 257K
描述
10V Drive Nch MOSFET

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R6006ANX 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FM, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.01
雪崩能效等级（Eas）：2.4 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

R6006ANX 数据手册

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10V Drive Nch MOSFET  
R6006ANX  
zDimensions (Unit : mm)  
zStructure  
TO-220FM  
Silicon N-channel MOSFET  
10.0  
φ3.2  
4.5  
2.8  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Gate-source voltage (VGSS)  
guaranteed to be ±30V.  
4) Drive circuits can be simple.  
5) Parallel use is easy.  
1.2  
1.3  
0.8  
(1)Base  
2.54  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
(1) (2) (3)  
(3)Emitter  
zApplications  
Switching  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Bulk  
−
Type  
Code  
∗1  
Basic ordering unit (pieces)  
500  
R6006ANX  
(1)  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
∗1 Body Diode  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
600  
VDSS  
GSS  
30  
V
V
∗3  
∗1  
∗3  
∗1  
Continuous  
Pulsed  
6
I
D
A
Drain current  
24  
I
DP  
A
Continuous  
Pulsed  
6
I
S
A
Source current  
(Body Diode)  
24  
I
I
SP  
AS  
AS  
A
∗2  
∗2  
Avalanche current  
Avalanche energy  
3
2.4  
A
E
mJ  
W
°C  
°C  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
40  
P
D
Channel temperature  
150  
Tch  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
Tstg  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 L 500µH, VDD=50V, R =25Ω, Starting, Tch=25°C  
G
∗3 Limited only by maximum temperature allowed  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
3.125  
Unit  
Channel to case  
Rth(ch-c)  
°C/W  
www.rohm.com  
c
2009.01 - Rev.A  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/5  
123456

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R6006ANX 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor,

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