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R6006ANX

更新时间： 2024-02-08 04:38:05
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罗姆 - ROHM 驱动
页数 文件大小 规格书
6页 257K
描述
10V Drive Nch MOSFET

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R6006ANX 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.17雪崩能效等级（Eas）：65 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.83 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

R6006ANX 数据手册

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10V Drive Nch MOSFET  
R6006ANX  
zDimensions (Unit : mm)  
zStructure  
TO-220FM  
Silicon N-channel MOSFET  
10.0  
φ3.2  
4.5  
2.8  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Gate-source voltage (VGSS)  
guaranteed to be ±30V.  
4) Drive circuits can be simple.  
5) Parallel use is easy.  
1.2  
1.3  
0.8  
(1)Base  
2.54  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
(1) (2) (3)  
(3)Emitter  
zApplications  
Switching  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Bulk  
−
Type  
Code  
∗1  
Basic ordering unit (pieces)  
500  
R6006ANX  
(1)  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
∗1 Body Diode  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
600  
VDSS  
GSS  
30  
V
V
∗3  
∗1  
∗3  
∗1  
Continuous  
Pulsed  
6
I
D
A
Drain current  
24  
I
DP  
A
Continuous  
Pulsed  
6
I
S
A
Source current  
(Body Diode)  
24  
I
I
SP  
AS  
AS  
A
∗2  
∗2  
Avalanche current  
Avalanche energy  
3
2.4  
A
E
mJ  
W
°C  
°C  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
40  
P
D
Channel temperature  
150  
Tch  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
Tstg  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 L 500µH, VDD=50V, R =25Ω, Starting, Tch=25°C  
G
∗3 Limited only by maximum temperature allowed  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
3.125  
Unit  
Channel to case  
Rth(ch-c)  
°C/W  
www.rohm.com  
c
2009.01 - Rev.A  
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/5  
123456

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R6006ANX 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB6NK60Z STMICROELECTRONICS

功能相似

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STB6NC60-1 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2

与R6006ANX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R6006ANX_12 ROHM

获取价格

 		Nch 600V 6A Power MOSFET
R6006JND3 ROHM

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 		R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw
R6006JNJ ROHM

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 		Power Field-Effect Transistor,
R6006JNX ROHM

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 		R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switchi
R6006JNXC7G ROHM

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.936ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
R6006KND3 ROHM

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 		R6006KND3是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
R6006KND4 ROHM

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 		R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw
R6006KNX ROHM

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 		R6006KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
R6006PND3FRA ROHM

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 		R6006PND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品
R6006PND3FRATL ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

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