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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 7.83 | 雪崩能效等级（Eas）： | 2.4 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R6006ANX | ROHM |
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10V Drive Nch MOSFET |
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| R6006ANX_12 | ROHM |
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Nch 600V 6A Power MOSFET |
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| R6006JND3 | ROHM |
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R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw |
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| R6006JNJ | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| R6006JNX | ROHM |
获取价格 |
R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switchi |
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| R6006JNXC7G | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.936ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| R6006KND3 | ROHM |
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R6006KND3是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 |
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| R6006KND4 | ROHM |
获取价格 |
R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the sw |
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| R6006KNX | ROHM |
获取价格 |
R6006KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 |
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| R6006PND3FRA | ROHM |
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R6006PND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品 |
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