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Datasheet > 晶体管 > IGBT> PTMB150E6C
PTMB150E6C PDF预览

PTMB150E6C

更新时间： 2024-09-13 06:05:47
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NIEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 322K
描述
IGBT Module-Six Pack

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PTMB150E6C 数据手册

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QS043-402-（2/5）  
ＰＴＭＢ１５０Ｅ６  
ＰＴＭＢ１５０Ｅ６Ｃ  
－
Ｓｉｘ Ｐａｃｋ  
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ  
１５０Ａ，６００Ｖ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
94  
Dimension:［mm］  
80  
4-Ø5.5  
1
2
99.00  
94.50  
4×19.05=76.20  
7-M4  
4×Ø5.50  
8
9
12  
13  
16  
17  
CL  
3.81 19.05  
12.62  
19  
18  
17  
16  
15  
5
6
7
1
2
20  
21  
14  
13  
10  
11  
14  
15  
18  
19  
8
9
10 11 12 13 14 15  
16 17 18 19  
4
3
5
6
7
3
4
PＴMB150E6  
1
2
4
5
6
8
9 10  
8.01  
3
7
11 12  
3.81  
15.24  
4×Ø2.10  
21  
13  
8
110.00  
121.50  
1
2
5
6
9
12-fasten tab  
#110  
18.5  
4 5  
18.5 18.5  
18.5  
4 5  
10  
10  
4 5  
.
4 5  
4 5  
.
4 5  
.
.
10 10  
.
.
10  
10  
19  
17  
15  
3
4
7
8
11  
12  
118.11  
14  
20  
LABEL  
LABEL  
119.60  
PＴMB150E6C  
PＴMB150E6  
PＴMB150E6C  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＣＥＳ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
６００  
Ｕｎｉｔ  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
Ｖ
Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
ＶＧＥＳ  
±２０  
ＩＣ  
ＤＣ  
１５０  
３００  
コ レ ク タ 電 流  
Ｃollector Ｃurrent  
Ａ
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
コ レ ク タ 損 失  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
ＰＣ  
５６０  
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
Ｆｔｏｒ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
絶
縁
耐
２,５００  
２（２０.４）  
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
２（２０.４）  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
PＴMB150E6  
PDMB150E6Ｃ  
１.４（１４.３）  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ｍＡ  
μＡ  
Ｖ
１.０  
１.０  
２.６  
８.０  
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V  
－
－
－
２.１  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA  
Ｖ
４.０  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
ｐＦ  
7,500  
Ｉnput Ｃapacitance  
ｔｒ  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
ＶＣＣ= 300V  
ＲＬ= 2.0Ω  
ＲＧ= 5.1Ω  
ＶＧＥ= ±15V  
－
－
－
－
０.１５  
０.２５  
０.１０  
０.３５  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
０.３０  
０.４０  
０.３５  
０.７０  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
μｓ  
ｔｏｆｆ  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
ＩＦＭ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
１５０  
３００  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
圧
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
１.９  
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V  
２.４  
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 300A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.１５  
０.２５  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Junction to Case  
Ｍｉｎ.  
－
－
Ｔｙｐ.  
－
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
熱
抵
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
０.２２  
℃／Ｗ  
Ｔhermal Ｉmpedance  
（Tc測定点チップ直下）  
０.４５  
00  
日本インター株式会社  
1234

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