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PTMB5012

更新时间： 2024-09-13 21:22:07

品牌	Logo	应用领域
NIEC		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	35K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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PTMB5012 数据手册

PT M B5012

IG B T 50 A 1200 V

■回路図ꢀCIRCU IT

■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G （単位ꢀDim ension：m m ）

■最大定格ꢀM axim um Ratings（TC＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Item

記号

Sym bol

定ꢀ格ꢀ値

Rated Value

単位

Unit

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Em itter Voltage

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Em itter Voltage

VCES

1200

±20

VGES

ICP

100

コレクタ電流

Collector Current

1m s

順電流

Forw ard Current

1m s

IFM

100

コレクタ損失

Collector Pow er Dissipation

接合温度

Junction Tem perature Range

保存温度

Storage Tem perature Range

絶縁耐圧（端子－ベース間，A C１分間）

Isolation Voltag（e Term inal to Base, A C１m in.）

ベース取付部

400

－40～＋150

－40～＋125

2500

℃

Tstg

Viso

℃

V（RM S）

1.2（20.4）

1.4（14.3）

M odule Base to Heatsink

端子部

締付トルク

M ounting Torque

N・m

（kgf・cm ）

Ftor

Busbar to Term inal

■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（TC＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Characteristic

コレクタ遮断電流

Collector-Em itter Cut-Off Current

ゲート漏れ電流

Gate-Em itter Leakage Current

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Em itter Saturation Voltage

ゲートしきい値電圧

記号

Sym bol

条ꢀꢀꢀ件

Test Conditions

最小

M in.

標準

Typ.

最大

M ax.

単位

Unit

ICES

VCE＝1200V, VGE＝0V

VGE＝±20V, VCE＝0V

─

1.0

500

3.5

6.0

─

m A

IGES

─

3.0

─

VC（E sat） IC＝50A , VGE＝15V

VG（E th） VCE＝5V, IC＝50m A

3.0

─

Gate-Em itter Threshold Voltage

入力容量

Input Capacitance

Ｉ

Ｇ

Ｂ

Ｔ

モ

ジ

ュ

ー

ル

Cies

VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1M Hz

5200

上昇時間

Rise Tim e

ターン・オン時間

Turn-On Tim e

下降時間

Fall Tim e

ターン・オフ時間

Turn-Off Tim e

ton

─

0.2

0.3

0.8

0.6

0.8

0.5

1.5

VCC＝600V

R^L＝12Ω

R^G＝24Ω

V^GE＝±15V

スイッチング時間

Sw itching Tim e

μs

toff

順電圧

Peak Forw ard Voltage

逆回復時間

Reverse Recovery Tim e

trr

IF＝50A , VGE＝0V

─

2.5

0.2

3.3

IF＝50A , VGE＝－10V

di/dt＝100A /μs

0.35

μs

─ 424 ─

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