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PTMB75E6C

更新时间： 2024-09-13 06:05:47

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NIEC		晶体晶体管双极性晶体管局域网
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IGBT Module-Six Pack

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PTMB75E6C 数据手册

QS043-402-（2/5）

ＰＴＭＢ７５Ｅ６

ＰＴＭＢ７５Ｅ６Ｃ

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－ＳｉｘＰａｃｋ

７５Ａ，６００Ｖ

□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

Dimension:［mm］

4-Ø5.5

99.00

94.50

4×19.05=76.20

7-M4

4×Ø5.50

3.81 19.05

12.62

10 11 12 13 14 15

16 17 18 19

PＴMB75E6

9 10

8.01

11 12

3.81

15.24

4×Ø2.10

110.00

121.50

12-fasten tab

#110

18.5

4 5

18.5 18.5

18.5

4 5

10 10

118.11

LABEL

119.60

PＴMB75E6C

PＴMB75E6

PＴMB75E6C

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_ＣＥＳ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

６００

Ｕｎｉｔ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＧＥＳ

±２０

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

７５

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ａ

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

１５０

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

３２０

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

２,５００

２（２０.４）

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

２（２０.４）

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

PＴMB75E6

PDMB75E6Ｃ

１.４（１４.３）

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｖ_ＣＥ= 600V, Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

ｍＡ

μＡ

Ｖ

１.０

２.６

８.０

－

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 75A,Ｖ_ＧＥ= 15V

－

２.１

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 75mA

Ｖ

４.０

－

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

ｐＦ

3,200

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

Ｖ_ＣＣ= 300V

Ｒ_Ｌ= 4.0Ω

Ｒ_Ｇ= 12Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

－

０.１５

０.２５

０.１０

０.３５

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

０.３０

０.４０

０.３５

０.７０

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

７５

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

１５０

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 75A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 75A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 150A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.１５

０.２５

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.３８

℃／Ｗ

Ｔhermal Ｉmpedance

（Tc測定点チップ直下）

０.８０

日本インター株式会社

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTMB75T6	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
PTMC210124MD	CREE	获取价格	Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amp
PTMC210204MD	CREE	获取价格	Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amp
PTMC210404MD	CREE	获取价格	Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amp
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PTMD0730	MACOM	获取价格	Accessories Miniature Relay PT
PTMG0024	TE	获取价格	Accessories Industrial Power Relay RT / RP / SR2M
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