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PTMB50E6C

更新时间： 2024-09-13 06:05:47

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NIEC		晶体晶体管双极性晶体管局域网
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4页	313K
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IGBT Module-Six Pack

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PTMB50E6C 数据手册

QS043-402-（2/5）

ＰＴＭＢ５０Ｅ６

ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ

－

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅＳｉｘＰａｃｋ

５０Ａ，６００Ｖ

□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

93.00

4-Ø6.00

4×15.24=60.96

5-fasten tab

#250

16.02

15.24

12.62

C L

2-Ø5.50

2-Ø5.5

G1E1

G5E5

G4E4

G2 E2

G6E6

12-fasten tab

#110

15.5

15.75

2.50

3.81

11.43

8.00

4-Ø2.10

PＴMB50E6

5×11.43=57.15

70.40

107.00

1.15×1.00

LABEL

104.20

PＴMB50E6C

PＴMB50E6

PＴMB50E6C

Dimension:［mm］

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

ＩｔｅｍＳｙｍｂｏｌ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

６００

Ｕｎｉｔ

Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＣＥＳ

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＧＥＳ

±２０

Ｖ

Ａ

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

５０

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

１００

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

２５０

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

２,５００

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

２（２０.４）

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

Ｖ_ＣＥ= 600V, Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 15V

ｍＡ

μＡ

Ｖ

１.０

２.６

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

－

２.１

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 50mA

Ｖ

４.０

－

８.０

－

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

ｐＦ

2,500

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

Ｖ_ＣＣ= 300V

Ｒ_Ｌ= 6.0Ω

Ｒ_Ｇ= 20Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

－

０.１５

０.２５

０.１０

０.３５

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

０.３０

０.４０

０.３５

０.７０

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

５０

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

1００

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 50A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 100A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.１５

０.２５

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.５０

℃／Ｗ

1.１０

Ｔhermal Ｉmpedance

（Tc測定点チップ直下）

－

日本インター株式会社

12 3 4

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