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PTMB75A6C

更新时间： 2024-09-13 06:05:47
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NIEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
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3页 125K
描述
IGBT Module-Six Pack

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PTMB75A6C 数据手册

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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ － Ｓｉｘ－Ｐａｃｋ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
７５Ａ，６００Ｖ  
ＰＴＭＢ７５Ａ６Ｃ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
重量：330ｇ  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＣＥＳ  
ＶＧＥＳ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
６００  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
コ レ ク タ・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
コ レ ク タ 電 流  
±２０  
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
ＤＣ  
ＩＣ  
７５  
Ｃollector Ｃurrent  
１ｍｓ  
ＩＣＰ  
１５０  
コ レ ク タ 損 失  
ＰＣ  
２５０  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
接
合
温
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
絶
縁
耐
圧
(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ ｍinute)  
ＶＩＳＯ  
２５００  
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｆｔｏｒ  
２(２0.４)  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｔｅｓｔ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
Ｍａｘ.  
１.０  
１.０  
２.６  
８.０  
－
Ｕｎｉｔ  
ｍＡ  
μＡ  
Ｖ
Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
ＩＣＥＳ  
ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V  
－
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
－
２.１  
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
４.０  
－
Ｖ
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,  
ｆ=1MHＺ  
7500  
ｐＦ  
Ｉnput Ｃapacitance  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
ｔｒ  
ＶＣＣ= 300V  
－
－
－
－
０.１５  
０.２５  
０.２  
０.３  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
ＲＬ= ４Ω  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
０.４  
μｓ  
ＲＧ= 10Ω  
０.３５  
０.７  
ＶＧＥ= ±15V  
ｔｏｆｆ  
０.４５  
□ フリーホイーリングダイオードの特 性：ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
７５  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
ＩＦＭ  
１５０  
Ｔｅｓｔ  
Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
Ｍａｘ.  
２.４  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
順
電
圧
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V  
１.９  
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 75A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.１５  
０.２５  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｔｅｓｔ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｍｉｎ.  
Ｔｙｐ.  
Ｍａｘ.  
Ｕｎｉｔ  
℃／Ｗ  
Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
－
－
－
－
０.５  
１.０  
Junction to Case  
Ｔhermal Ｉmpedance  
123

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