PTFA211801F

更新时间： 2024-11-23 06:05:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体射频场效应晶体管放大器
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 – 2170 MHz

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PTFA211801F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	31260, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTFA211801F 数据手册

PTFA211801E

PTFA211801F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

180 W, 2110 – 2170 MHz

Description

The PTFA211801E and PTFA211801F are thermally-enhanced,

180-watt, internally matched LDMOS FETs intended for WCDMA

applications. They are characaterized for single- and two-carrier

WCDMA operation from 2110 to 2170 MHz. Thermally-enhanced

packaging provides the coolest operation available.

PTFA211801E

Package H-36260-2

PTFA211801F

Package H-37260-2

Features

2-Carrier WCDMA Drive-up

V_DD= 28 V, I_DQ= 1.2 A, f = 2140 MHz, 3GPP WCDMA

signal, P/A R = 8 dB, 10 MHz carrier spacing

•

Thermally-enhanced packages, Pb-free and

RoHS-compliant

•

Broadband internal matching

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

Typical two-carrier WCDMA performance at 2140

MHz, 28 V

- Average output power = 45.5 dBm

- Linear Gain = 15.5 dB

- Efficiency = 27.5%

- Intermodulation distortion = –36 dBc

- Adjacent channel power = –41 dBc

Efficiency

IM3

•

Typical CW performance, 2170 MHz, 30 V

- Output power at P–1dB = 180 W

- Efficiency = 52%

ACPR

Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 2 (minimum)

•

Excellent thermal stability, low HCI drift

Average Output Power (dBm)

Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,

150 W (CW) output power

RF Characteristics

WCDMA Measurements (tested in Infineon test fixture)

= 28 V, I = 1.2 A, P = 35 W average

OUT

ƒ = 2135 MHz, ƒ = 2145 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF

Characteristic

Gain

Symbol

Min

14.5

Typ

15.5

27.5

–36

Max

—

Unit

Drain Efficiency

h_D

—

Intermodulation Distortion

IMD

—

–34

dBc

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 11

Rev. 04, 2007-11-15

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PTFA212001E-200W	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA212001EV4R250XTMA1	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA212001F	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 2
PTFA212001F-200W	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor
PTFA212001FV4	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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