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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | PLASTIC, SC-74, TSOP-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMN28UNE | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30ENEA | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V N-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30UN | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30UNE | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30UNEX | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 20V SC-74 |
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| PMN30XP | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30XPA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN30XPE | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN30XPEA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMN-32% PT Type B | CTS |
获取价格 |
PMN-PT |
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