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PMN34LN,135

更新时间: 2024-11-21 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
PMN34LN - N-channel TrenchMOS logic level FET TSOP 6-Pin

PMN34LN,135 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:PLASTIC, SC-74, TSOP-6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.2配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5.7 A
最大漏极电流 (ID):5.7 A最大漏源导通电阻:0.034 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1.75 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMN34LN,135 数据手册

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PMN34LN  
µTrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 01 — 21 March 2003  
Product data  
M3D302  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
PMN34LN in SOT457 (TSOP6).  
1.2 Features  
Low on-state resistance in small surface mount package.  
1.3 Applications  
DC-to-DC primary side.  
1.4 Quick reference data  
VDS 20 V  
ID 5.7 A  
Ptot 1.75 W  
RDSon 34 mΩ  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pin  
Pinning - SOT457 (TSOP6), simplified outline and symbol  
Description Simplified outline  
Symbol  
1,2,5,6 drain (d)  
d
s
6
5
4
3
3
4
gate (g)  
source (s)  
g
MBB076  
1
2
Top view  
MBK092  
SOT457 (TSOP6)  
 
 
 
 
 

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