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PMN34UN,135 PDF预览

PMN34UN,135

更新时间： 2024-11-25 15:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSOP 6-Pin

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PMN34UN,135 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：PLASTIC, SC-74, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.9 A
最大漏极电流 (ID)：4.9 A最大漏源导通电阻：0.054 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PMN34UN,135 数据手册

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PMN34UN  
µTrenchMOS™ ultra low level FET  
Rev. 01 — 26 February 2003  
Product data  
M3D302  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
PMN34UN in SOT457 (TSOP6).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Very fast switching  
■ Low threshold voltage  
■ Surface mount package.  
3. Applications  
■ Battery-powered motor control  
■ Load switch in notebook computers  
■ High-speed switch in set top box power supplies  
■ Driver FET in DC-to-DC converters.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT457 (TSOP6), simplified outline and symbol  
Pin  
Description  
drain (d)  
Simplified outline  
Symbol  
1,2,5,6  
d
s
6
5
4
3
4
gate (g)  
source (s)  
g
MBB076  
1
2
3
Top view  
MBK092  
SOT457 (TSOP6)  
 
 
 
1234567...12

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PMN34UN,135 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZXMP3A17E6TA DIODES

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