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PMN34LN

更新时间: 2024-11-09 06:04:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 220K
描述
uTrenchMOS logic level FET

PMN34LN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-74
包装说明:PLASTIC, SC-74, TSOP-6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.18Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.7 A最大漏极电流 (ID):5.7 A
最大漏源导通电阻:0.034 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.75 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMN34LN 数据手册

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PMN34LN  
µTrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 01 — 21 March 2003  
Product data  
M3D302  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
PMN34LN in SOT457 (TSOP6).  
1.2 Features  
Low on-state resistance in small surface mount package.  
1.3 Applications  
DC-to-DC primary side.  
1.4 Quick reference data  
VDS 20 V  
ID 5.7 A  
Ptot 1.75 W  
RDSon 34 mΩ  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pin  
Pinning - SOT457 (TSOP6), simplified outline and symbol  
Description Simplified outline  
Symbol  
1,2,5,6 drain (d)  
d
s
6
5
4
3
3
4
gate (g)  
source (s)  
g
MBB076  
1
2
Top view  
MBK092  
SOT457 (TSOP6)  

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