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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-74 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMN25EN,115 | NXP |
获取价格 |
PMN25EN - 30 V, 6.2 A N-channel Trench MOSFET TSOP 6-Pin |
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| PMN25ENEA | NEXPERIA |
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30 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN25UN | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-74, TSOP-6, FET |
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| PMN27UN | NXP |
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TrenchMOS ultra low level FET |
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| PMN27UP,115 | NXP |
获取价格 |
PMN27UP - 20 V, 5.7 A P-channel Trench MOSFET TSOP 6-Pin |
|
| PMN-28% PT Type A | CTS |
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PMN-PT |
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| PMN280ENEA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN28UN | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS⑩ ultra low level FET |
|
| PMN28UN,165 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSOP 6-Pin |
|
| PMN28UNE | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
|
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