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PMEG2010AET

更新时间： 2024-02-12 06:04:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	70K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers

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PMEG2010AET 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.27 V
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	8 A
元件数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	20 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PMEG2010AET 数据手册

PMEG2010AEH; PMEG2010AET

1 A very low V_FMEGA Schottky barrier rectiﬁers

Rev. 03 — 28 March 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Planar Maximum Efﬁciency General Application (MEGA) Schottky barrier rectiﬁers with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-Mounted Device

(SMD) plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Conﬁguration

JEITA

PMEG2010AEH

PMEG2010AET

SOD123F

SOT23

single

1.2 Features

I Forward current: I_F≤ 1 A

I Reverse voltage: V_R≤ 20 V

I Very low forward voltage

I Small SMD plastic packages

1.3 Applications

I Low voltage rectiﬁcation

I High efﬁciency DC-to-DC conversion

I Switch mode power supply

I Reverse polarity protection

I Low power consumption applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

I_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

forward current

reverse voltage

forward voltage

T_sp≤ 55 °C

V_R

[1]

V_F

I_F= 1 A

380

430

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...11

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