PMBT3906TRL

更新时间： 2024-09-09 13:12:27

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恩智浦 - NXP		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	119K
描述
200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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PMBT3906TRL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.25 V
Base Number Matches：	1

PMBT3906TRL 数据手册

PMBT3906

PNP switching transistor

Rev. 06 — 2 March 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP switching transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

NPN complement: PMBT3904.

1.2 Features and benefits

Collector-emitter voltage V_CEO= −40 V

Collector current capability I_C= −200 mA

1.3 Applications

General amplification and switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−40

Unit

collector-emitter voltage open base

collector current

I_C

−200

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

Simplified outline

Graphic symbol

base

emitter

collector

006aab259

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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