PMBT3906VS

更新时间： 2024-09-09 06:04:23

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恩智浦 - NXP		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	87K
描述
40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor

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PMBT3906VS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

PMBT3906VS 数据手册

PMBT3906VS

40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor

Rev. 01 — 20 August 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP double switching transistor in a SOT666 ultra small and ﬂat lead

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN/NPN

complement

NPN/PNP

complement

JEITA

PMBT3906VS

SOT666

PMBT3904VS

PMBT3946VPN

1.2 Features

I Double general-purpose switching transistor

I Board-space reduction

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Ultra small and ﬂat lead SMD plastic package

1.3 Applications

I General-purpose switching and ampliﬁcation

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per transistor

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

−40

−200

300

h_FE

DC current gain

V_CE= −1 V;

I_C= −10 mA

100

180

12 3 4 5 6 7...11

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