PHX2N40E

更新时间： 2024-11-20 22:26:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N40E

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PHX2N40E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, FULLPACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.4 A
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	1.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	60 pF
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	105 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

PHX2N40E 数据手册

Philips Semiconductors

Objective specification

PowerMOS transistor

Isolated version of PHP4N40E

PHX2N40E

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode

field-effect power transistor in a full

pack, plastic envelope featuring high

avalanche energy capability, stable

blocking voltage, fast switching and

high thermal cycling performance

withlowthermalresistance. Intended

for use in Switched Mode Power

Supplies (SMPS), motor control

circuits and general purpose

switching applications.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

Drain-source voltage

Drain current (DC)

Total power dissipation

Drain-source on-state resistance

400

2.4

Ω

P_tot

R_DS(ON)

1.8

PINNING - SOT186A

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

case

gate

drain

source

case isolated

2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

±V_GS

I_D

Drain-source voltage

400

2.4

1.5

9.6

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

R_GS= 20 kΩ

T_hs= 25 ˚C

T_hs= 100 ˚C

T_hs= 25 ˚C

I_DM

Drain current (pulse peak

value)

Source-drain diode current

(DC)

Source-drain diode current

(pulse peak value)

Total power dissipation

Storage temperature

Junction temperature

I_DR

T_hs= 25 ˚C

2.4

9.6

I_DRM

P_tot

T_stg

T_j

-55

150

˚C

AVALANCHE LIMITING VALUE

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

W_DSS

Drain-source non-repetitive I_D= 4.2 A ; V_DD≤ 50 V ; V_GS= 10 V ;

unclamped inductive turn-off R_GS= 50 Ω

energy

T_j= 25˚C prior to surge

T_j= 100˚C prior to surge

190

W_DSR

Drain-source repetitive

I_D= 4.2 A ; V_DD≤ 50 V ;

unclamped inductive turn-off V_GS= 10 V ; R_GS= 50 Ω ; T_j≤ 150 ˚C

energy

1. Pulse width and frequency limited by T_j(max)

November 1996

Rev 1.000

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PHX2N60E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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