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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 25 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHX34NQ11T | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| PHX34NQ11T,127 | NXP |
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PHX34NQ11T |
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| PHX3N40E | NXP |
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PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX3N40E127 | NXP |
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TRANSISTOR 1.7 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| PHX3N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHX3N50E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
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| PHX3N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX45NQ11T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PHX4N40 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| PHX4N40 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.8 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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