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PHX4N60E PDF预览

PHX4N60E

更新时间： 2024-11-20 22:05:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 79K
描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHX4N60E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：295 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：120 pF
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：35 W最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：340 ns最大开启时间（吨）：130 ns
Base Number Matches：1

PHX4N60E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistors  
Avalanche energy rated  
PHX4N60E  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast switching  
VDSS = 600 V  
ID = 2.4 A  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Isolated package  
g
RDS(ON) ≤ 2.5 Ω  
s
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT186A  
N-channel, enhancement mode  
PIN  
DESCRIPTION  
case  
field-effect  
power  
transistor,  
intended for use in off-line switched  
mode power supplies, T.V. and  
computer monitor power supplies,  
d.c.tod.c. converters, motorcontrol  
circuits and general purpose  
switching applications.  
1
2
3
gate  
drain  
source  
case isolated  
1
2 3  
The PHX4N60E is supplied in the  
SOT186A full pack, isolated  
package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
-
-
-
-
-
-
600  
600  
± 30  
2.4  
1.5  
18  
V
V
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C; RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
V
Ths = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Ths = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Ths = 25 ˚C  
A
A
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
Operating junction and  
storage temperature range  
A
Ths = 25 ˚C  
35  
W
˚C  
- 55  
150  
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
EAS  
Non-repetitive avalanche  
energy  
Unclamped inductive load, IAS = 3.2 A;  
tp = 0.24 ms; Tj prior to avalanche = 25˚C;  
-
295  
mJ  
V
DD ≤ 50 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; refer  
to fig:17  
EAR  
Repetitive avalanche energy1 IAR = 4.5 A; tp = 2.5 µs; Tj prior to  
avalanche = 25˚C; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
refer to fig:18  
Repetitive and non-repetitive  
avalanche current  
-
-
9
mJ  
A
IAS, IAR  
4.5  
1 pulse width and repetition rate limited by Tj max.  
December 1998  
1
Rev 1.200  
12345678

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与PHX4N60E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHX4N60E127 NXP

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 		TRANSISTOR 2.4 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET
PHX4ND40E NXP

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PHX4ND40E127 NXP

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