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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHX8N50E | NXP |
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PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX8ND50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
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| PHX8ND50E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.2 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
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| PHX8NQ11T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS-TM standard level FET |
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| PHX8NQ11T,127 | NXP |
获取价格 |
PHX8NQ11T |
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| PHX9NQ20T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PHX9NQ20T,127 | NXP |
获取价格 |
PHX9NQ20T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PHY1040 | ADI |
获取价格 |
125Mbps至1.25Gbps VCSEL/激光驱动器和后置放大器 |
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| PHY1076 | MAXIM |
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125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics |
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| PHY1076-01 | MAXIM |
获取价格 |
125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics |
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