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PHX9NQ20T,127

更新时间： 2024-11-21 20:58:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	115K
描述
PHX9NQ20T - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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PHX9NQ20T,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, TO-220, FPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A	最大漏极电流 (ID)：	5.2 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHX9NQ20T,127 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHX9NQ20T , PHF9NQ20T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 200 V

I_D= 5.2 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 400 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line

switchedmode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits

and general purpose switching applications.

The PHX9NQ20T is supplied in the SOT186A (FPAK) conventional leaded package

PINNING

SOT186A (FPAK)

SOT186 (FPAK)

DESCRIPTION

case

gate

drain

source

case isolated

2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

200

± 20

5.2

3.3

˚C

T_hs= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_hs= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_hs= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_hs= 25 ˚C

150

- 55

November 2000

Rev 1.100

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PHX9NQ20T	NXP	类似代替	N-channel TrenchMOS transistor

与PHX9NQ20T,127相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHY1040	ADI	获取价格	125Mbps至1.25Gbps VCSEL/激光驱动器和后置放大器
PHY1076	MAXIM	获取价格	125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics
PHY1076-01	MAXIM	获取价格	125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics
PHY1076-01QD-RR	MAXIM	获取价格	125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics
PHY1076-01QS-RR	MAXIM	获取价格	125Mbps to 2.7Gbps Laser Driver/ Post Amp with Digital Diagnostics
PHY1090	MAXIM	获取价格	0B10GbE Linear Transimpedance Amplifier
PHY1090DS-FR	MAXIM	获取价格	0B10GbE Linear Transimpedance Amplifier
PHY1090DS-WR	MAXIM	获取价格	0B10GbE Linear Transimpedance Amplifier
PHY1095	MAXIM	获取价格	1.25Gbps High Sensitivity Transimpedance Amplifier
PHY1095	ADI	获取价格	高灵敏度互阻放大器

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