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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 120 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 340 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 130 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHX6N28T | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| PHX6N28T | NXP |
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TRANSISTOR 5.5 A, 275 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| PHX6N50E | NXP |
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PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX6N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX6NA60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Low capacitance Avalanche energy rated |
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| PHX6NA60E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| PHX6ND50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
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| PHX7N40E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX7N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHX7N60E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.6 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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