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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHX3N40E
PHX3N40E PDF预览

PHX3N40E

更新时间： 2024-11-20 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHX3N40E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：3.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：25 W
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHX3N40E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistors  
Avalanche energy rated  
PHX3N40E  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast switching  
VDSS = 400 V  
ID = 1.7 A  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Isolated package  
g
RDS(ON) ≤ 3.5 Ω  
s
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT186A  
N-channel, enhancement mode  
PIN  
DESCRIPTION  
case  
field-effect  
power  
transistor,  
intended for use in off-line switched  
mode power supplies, T.V. and  
computer monitor power supplies,  
d.c.tod.c. converters, motorcontrol  
circuits and general purpose  
switching applications.  
1
2
3
gate  
drain  
source  
case isolated  
1
2 3  
The PHX3N40E is supplied in the  
SOT186A full pack, isolated  
package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
-
-
-
-
-
-
400  
400  
± 30  
1.7  
1.1  
10  
V
V
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C; RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
V
Ths = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Ths = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Ths = 25 ˚C  
A
A
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
Operating junction and  
storage temperature range  
A
Ths = 25 ˚C  
25  
W
˚C  
- 55  
150  
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
EAS  
Non-repetitive avalanche  
energy  
Unclamped inductive load, IAS = 0.9 A;  
tp = 0.53 ms; Tj prior to avalanche = 25˚C;  
-
120  
mJ  
V
DD ≤ 50 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; refer  
to fig:17  
EAR  
Repetitive avalanche energy1 IAR = 2.5 A; tp = 2.5 µs; Tj prior to  
avalanche = 25˚C; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
refer to fig:18  
Repetitive and non-repetitive  
avalanche current  
-
-
3.2  
2.5  
mJ  
A
IAS, IAR  
1 pulse width and repetition rate limited by Tj max.  
December 1998  
1
Rev 1.200  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHX3N40E127 NXP

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PHX3N50E NXP

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 		PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX3N50E127 NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET
PHX4N40 PHILIPS

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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