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PHX34NQ11T,127

更新时间： 2024-11-21 15:47:51

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恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	91K
描述
PHX34NQ11T

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PHX34NQ11T,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	110 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24.8 A
最大漏极电流 (ID)：	24.8 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	56.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	99.4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHX34NQ11T,127 数据手册

PHX34NQ11T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 13 May 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a fully isolated encapsulated

plastic package using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Low on-state resistance

■ Isolated package.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Switched-mode power supplies.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 110 V

■ P_tot≤ 56.8 W

■ I_D≤ 24.8 A

■ R_DSon≤ 40 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT186A (TO-220F) simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

isolated

mbb076

2 3

MBK110

SOT186A (TO-220F)

12 3 4 5 6 7...12

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