5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 144 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHX3055E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PHX3055L | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| PHX34NQ11T | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| PHX34NQ11T,127 | NXP |
获取价格 |
PHX34NQ11T |
|
| PHX3N40E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHX3N40E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.7 A, 400 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
|
| PHX3N50E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHX3N50E127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
|
| PHX3N60E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
|
| PHX45NQ11T | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
