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PHP7N60E

更新时间： 2024-09-08 22:33:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 95K
描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHP7N60E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：583 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHP7N60E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistors  
Avalanche energy rated  
PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast switching  
VDSS = 600 V  
ID = 7 A  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 1.2 Ω  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies,  
T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching  
applications.  
The PHP7N60E is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHW7N60E is supplied in the SOT429 (TO247) conventional leaded package.  
The PHB7N60E is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
SOT429 (TO247)  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
tab  
gate  
2
drain1  
source  
3
2
tab drain  
2
1
3
1 2 3  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
600  
600  
± 30  
7
V
V
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C; RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
-
V
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
-
A
-
4.5  
28  
A
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
Operating junction and  
storage temperature range  
-
-
A
Tmb = 25 ˚C  
147  
150  
W
˚C  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  
December 1998  
1
Rev 1.400  
1234567...10

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与PHP7N60E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP7N60E127 NXP

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 		TRANSISTOR 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos
PHP8.4 SEMTECH

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