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PHP83N06T,127

更新时间： 2024-11-01 15:47:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	263K
描述
PHP83N06T

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PHP83N06T,127 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	211 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	166 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHP83N06T,127 数据手册

PHP83N06T

TrenchMOS™ Standard Level FET

Rev. 01 — 11 January 2002

Product data

M3D307

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology, featuring very low on-state resistance.

Product availability:

PHP83N06T in SOT78 (TO-220AB).

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Fast switching

■ Low on-state resistance.

3. Applications

■ Switch mode power supplies

■ Uninterruptible power supplies

■ General purpose switching.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT78, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

12 3 4 5 6 7...13

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