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PHP96NQ03LT

更新时间: 2024-09-13 22:20:59
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 274K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

PHP96NQ03LT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):185 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.0075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):115 W最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

PHP96NQ03LT 数据手册

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PHP/PHB/PHD96NQ03LT  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 03 — 23 October 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)  
PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)  
PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).  
2. Features  
Low gate charge  
Low on-state resistance.  
3. Applications  
Optimized as a control FET in DC to DC converters.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outline and symbol  
Pin Description  
Simplified outline  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
s
mb  
mb  
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base,  
connected to drain (d)  
MBB076  
2
2
1
3
1
3
Top view  
MBK091  
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.  
1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  

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