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PHP96NQ03LT

更新时间： 2024-10-31 22:20:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	274K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PHP96NQ03LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	185 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

PHP96NQ03LT 数据手册

PHP/PHB/PHD96NQ03LT

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 03 — 23 October 2001

Product data

1. Description

N-channel logic level ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)

PHB96NQ03LT in SOT404 (D²-PAK)

PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).

2. Features

■ Low gate charge

■ Low on-state resistance.

3. Applications

■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simpliﬁed outline and symbol

Pin Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base,

connected to drain (d)

MBB076

Top view

MBK091

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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