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PHP87N03T PDF预览

PHP87N03T

更新时间： 2024-11-01 20:28:55
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PHP87N03T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：142 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

PHP87N03T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
PHP87N03T  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in DC-DC  
converters and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)1  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
30  
75  
142  
175  
10.5  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
30  
20  
75  
61  
240  
142  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)1  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
-
1.05  
K/W  
in free air  
60  
-
K/W  
1 Current limited by package to 75A from a theoretical value of 87A.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP8N20E NXP

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