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PHP8N20E

更新时间： 2024-10-31 22:24:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	61K
描述
PowerMOS transistor

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PHP8N20E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
其他特性：	FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.2 A
最大漏极电流 (ID)：	9.2 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	80 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	90 W	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	180 ns	最大开启时间（吨）：	90 ns

PHP8N20E 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

PowerMOS transistor

PHP8N20E

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode

field-effect power transistor in a

plastic envelope featuring high

avalanche energy capability, stable

blocking voltage, fast switching and

high thermal cycling performance

withlowthermalresistance. Intended

for use in Switched Mode Power

Supplies (SMPS), motor control

circuits and general purpose

switching applications.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

Drain-source voltage

Drain current (DC)

Total power dissipation

Drain-source on-state resistance

200

9.2

Ω

P_tot

R_DS(ON)

0.4

PINNING - TO220AB

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

gate

drain

source

tab drain

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

I_D

Continuous drain current

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

9.2

6.5

I_DM

P_D

Pulsed drain current

Total dissipation

T_mb= 25 ˚C

∆P_D/∆T_mbLinear derating factor

T_mb> 25 ˚C

0.6

± 30

250

W/K

V_GS

E_AS

Gate-source voltage

Single pulse avalanche

energy

_DD≤ 50 V; starting T_j= 25˚C; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 10 V

_DD≤ 50 V; starting T_j= 25˚C; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 10 V

I_AS

Peak avalanche current

9.2

T_j, T_stg

Operating junction and

storage temperature range

- 55

175

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

1.67

K/W

mounting base

Thermal resistance junction to

ambient

February 1997

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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与PHP8N20E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP8N50	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PHP8N50	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP8N50E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP8N50E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur
PHP8ND50E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
PHP8ND50E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur
PHP-900	MINI	获取价格	High Pass Filter, 820MHz, CASE A01, 8 PIN
PHP-900+	MINI	获取价格	High Pass Filter, 820MHz, ROHS COMPLIANT, CASE A01, 8 PIN
PHP95N03LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PHP96NQ03LT	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor

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