PHP87N03LT

更新时间： 2024-10-31 22:24:07

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	104K
描述
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHP87N03LT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	142 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	260 ns
最大开启时间（吨）：	195 ns	Base Number Matches：	1

PHP87N03LT 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

Logic level FET

PHP87N03LT, PHB87N03LT

PHD87N03LT

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

• Low thermal resistance

• Logic level compatible

V_DSS= 25 V

I_D= 75 A

_DS(ON)≤ 9.5 mΩ (V_GS= 10 V)

_DS(ON)≤ 10.5 mΩ (V_GS= 5 V)

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

Applications:-

• High frequency computer motherboard d.c. to d.c. converters

• High current switching

The PHP87N03LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB87N03LT is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

The PHD87N03LT is supplied in the SOT428 (DPAK)surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

SOT428 (DPAK)

tab

DESCRIPTION

tab

gate

drain ¹

source

1 2 3

tab drain

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

Drain-source voltage

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

± 15

Drain-gate voltage

Gate-source voltage (DC)

Gate-source voltage (pulse

peak value)

V_GSM

T_j≤ 150 ˚C

± 20

I_D

Drain current (DC)

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

240

I_DM

Drain current (pulse peak

value)

P_tot

T_j, T_stg

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

142

175

˚C

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.

October 1999

Rev 1.600

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP87N03T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP87N03T	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PHP8N20E	NXP	获取价格	PowerMOS transistor
PHP8N50	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PHP8N50	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP8N50E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP8N50E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur
PHP8ND50E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
PHP8ND50E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 8.5 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur
PHP-900	MINI	获取价格	High Pass Filter, 820MHz, CASE A01, 8 PIN

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