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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHP42N03T
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PHP42N03T

更新时间： 2024-01-27 03:42:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
TrenchMOS transistor Standard level FET

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PHP42N03T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：86 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

PHP42N03T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
PHP42N03T  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in DC-DC  
converters and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
30  
42  
86  
175  
26  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
30  
20  
42  
33  
168  
86  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
-
1.75  
K/W  
in free air  
60  
-
K/W  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
September 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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