PHP45N03LT

更新时间： 2024-02-28 16:51:16

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	59K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHP45N03LT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
其他特性：	ESD PROTECTED	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	86 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHP45N03LT 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

Logic level FET

PHP45N03LT

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

• Stable off-state characteristics

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_DSS= 30 V

I_D= 45 A

_DS(ON)≤ 24 mΩ (V_GS= 5 V)

R_DS(ON)≤ 21 mΩ (V_GS= 10 V)

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT78 (TO220AB)

N-channel enhancement mode

logic level field-effect power

transistor in a plastic envelope

using ’trench’ technology. The

device has very low on-state

resistance. It is intended for use in

dc to dc converters and general

purpose switching applications.

DESCRIPTION

tab

gate

drain

source

drain

tab

1 2 3

ThePHP45N03LT issuppliedin the

SOT78 (TO220AB) conventional

leaded package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

±V_GS

I_D

I_DM

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

180

175

˚C

R_GS= 20 kΩ

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

Drain current (DC)

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

Storage & operating temperature

P_tot

T_stg, T_j

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction to

mounting base

1.75

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

ambient

in free air

K/W

November 1997

Rev 1.200

12 3 4 5 6 7 8

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