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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHP4N50E
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PHP4N50E

更新时间： 2024-02-05 22:11:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 23K
描述
PowerMOS transistor

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PHP4N50E 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

PHP4N50E 数据手册

 浏览型号PHP4N50E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PHP4N50E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PHP4N50E的Datasheet PDF文件第4页 
Philips Semiconductors  
Objective specification  
PowerMOS transistor  
PHP4N50E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope featuring high  
avalanche energy capability, stable  
blocking voltage, fast switching and  
high thermal cycling performance  
withlowthermalresistance. Intended  
for use in Switched Mode Power  
Supplies (SMPS), motor control  
circuits and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state resistance  
500  
5.3  
100  
1.5  
V
A
W
Ω
Ptot  
RDS(ON)  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
1 2 3  
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
500  
500  
30  
5.3  
3.3  
21  
V
V
V
A
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
IDM  
Drain current (pulse peak  
value)  
Source-drain diode current  
(DC)  
Source-drain diode current  
(pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
IDR  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
5.3  
21  
A
A
IDRM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
-55  
-
100  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
AVALANCHE LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
WDSS  
Drain-source non-repetitive ID = 5.3 A; VDD ≤ 50 V; VGS = 10 V;  
unclamped inductive turn-off RGS = 50 Ω  
energy  
Tj = 25˚C prior to surge  
Tj = 100˚C prior to surge  
-
-
-
280  
44  
7.4  
mJ  
mJ  
mJ  
1
WDSR  
Drain-source repetitive  
ID = 5.3 A; VDD ≤ 50 V; VGS = 10 V;  
unclamped inductive turn-off RGS = 50 Ω; Tj ≤ 150 ˚C  
energy  
Pulse width and frequency limited by Tj(max)  
October 1996  
1
Rev 1.000  
1234

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与PHP4N50E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP4N60E NXP

获取价格

 		PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP4N60E127 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP4ND40E NXP

获取价格

 		PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
PHP4ND40E127 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 4.4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP-50+ MINI

获取价格

 		High Pass Filter, 37MHz, ROHS COMPLIANT, CASE A01, 8 PIN
PHP500 MICROSEMI

获取价格

 		TRANSIENT ABSORPTION ZENER
PHP500 SEMTECH

获取价格

 		7,500 & 15,000 Watt TVS Module
PHP500 PROTEC

获取价格

 		AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR
PHP500 SENSITRON

获取价格

 		Transient Voltage Suppressor, Unidirectional
PHP500 VISHAY

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 708V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL

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