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PHP50N06LT

更新时间： 2024-01-20 05:12:42
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 84K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHP50N06LT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

PHP50N06LT 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• ’Trench’ technology  
• Very low on-state resistance  
• Fast switching  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VDSS = 55 V  
d
ID = 50 A  
R
DS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V)  
g
RDS(ON) ≤ 22 mΩ (VGS = 10 V)  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.  
The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching  
applications.  
The PHP50N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB50N06LT is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
The PHD50N06LT is supplied in the SOT428 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
SOT428  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
tab  
tab  
gate  
2
drain1  
source  
3
2
2
tab drain  
1
3
1
3
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
± 13  
50  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
35  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
200  
125  
175  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 or SOT404 packages.  
September 1998  
1
Rev 1.400  
1234567...10

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与PHP50N06LT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP50N06T NXP

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 		TRANSISTOR 50 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP50N06T PHILIPS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PHP52N06T NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP52N06T,127 NXP

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PHP54N06T NXP

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 		N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP55N03LTA NXP

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 		N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03T NXP

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 		TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP55N04LT ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB

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