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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A | 最大漏极电流 (ID)： | 55 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHP55N03LTA | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PHP55N03T | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| PHP55N04LT | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB |
|
| PHP5N20E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| PHP5N40 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| PHP5N40E | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| PHP60 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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| PHP60 | SEMTECH |
获取价格 |
7,500 & 15,000 Watt TVS Module |
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| PHP60 | PROTEC |
获取价格 |
AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| PHP60 | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor, Unidirectional |
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