PHP65N06LT

更新时间： 2024-02-03 13:07:08

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	74K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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PHP65N06LT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	63 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	290 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	215 ns	最大开启时间（吨）：	175 ns
Base Number Matches：	1

PHP65N06LT 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

Logic level FET

PHP65N06LT, PHB65N06LT

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

• Stable off-state characteristics

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_DSS= 55 V

I_D= 63 A

_DS(ON)≤ 18 mΩ (V_GS= 5 V)

_DS(ON)≤ 16 mΩ (V_GS= 10 V)

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching

applications.

The PHP65N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB65N06LT is supplied in the SOT404 surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

± 13

˚C

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

240

150

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

January 1998

Rev 1.300

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP65N06LT127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP65N06T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP66N03LT	NXP	获取价格	TRANSISTOR 66 A, 25 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
PHP66NQ03LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PHP66NQ03LT,127	NXP	获取价格	PHP66NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
PHP69N03LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP69N03T	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69NLT	ETC	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP6N10E	NXP	获取价格	PowerMOS transistor
PHP6N10E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 6.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Pur

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