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PHP75NQ08T,127

更新时间： 2024-09-09 20:05:27

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恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	179K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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PHP75NQ08T,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	157 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHP75NQ08T,127 数据手册

PHP75NQ08T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 2 March 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Motors, lamps and solenoids

Uninterruptible power supplies

General industrial applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

157

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 60 V; T_j= 25 °C;

see Figure 11

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 9;

see Figure 10

11.7 13

mΩ

12 3 4 5 6 7...13

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PHP75NQ08T,127 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDP047N08	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 164A, 4.7m
FDP032N08	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 235A, 3.2m

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHP78NQ03LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHP78NQ03LT,127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,
PHP79NQ08LT	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP79NQ08LT	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
PHP7N40E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP7N40E/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET TO-220
PHP7N40E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 7.2 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos
PHP7N60E	NXP	获取价格	PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP7N60E127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos
PHP8.4	SEMTECH	获取价格	7,500 & 15,000 Watt TVS Module

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