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PHP78NQ03LT

更新时间: 2024-09-08 21:54:59
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 85K
描述
N-channel TrenchMOSTM logic level FET

PHP78NQ03LT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):185 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A最大漏源导通电阻:0.0135 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):93 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):228 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PHP78NQ03LT 数据手册

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PHP78NQ03LT  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 05 — 9 June 2005  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology.  
1.2 Features  
Logic level threshold  
Fast switching  
1.3 Applications  
Computer motherboards  
DC-to-DC converters  
1.4 Quick reference data  
VDS 25 V  
ID 75 A  
RDSon 9 mΩ  
QGD = 4.2 nC (typ)  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning  
Pin  
1
Description  
Simplified outline  
Symbol  
gate (G)  
D
S
mb  
2
drain (D)  
3
source (S)  
G
mb  
mounting base; connected to drain  
mbb076  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  

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