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PHP6ND50E

更新时间： 2024-09-08 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 65K
描述
PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated

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PHP6ND50E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
其他特性：FREDFET, FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.9 A
最大漏极电流 (ID)：5.9 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHP6ND50E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistors  
FREDFET, Avalanche energy rated  
PHP6ND50E, PHB6ND50E  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast switching  
VDSS = 500 V  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
ID = 5.9 A  
g
R
DS(ON) ≤ 1.5 Ω  
• Fast reverse recovery diode  
trr = 180 ns  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, incorporating a Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED).  
This gives improved switching performance in half bridge and full bridge converters making this device particularly  
suitable for inverters, lighting ballasts and motor control circuits.  
The PHP6ND50E is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB6ND50E is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
PIN  
DESCRIPTION  
tab  
tab  
1
2
gate  
drain 1  
3
source  
drain  
2
tab  
1 2 3  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C  
-
500  
500  
± 30  
5.9  
V
V
Drain-gate voltage  
Tj = 25 ˚C to 150˚C; RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
-
V
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
-
A
-
3.7  
A
IDM  
Pulsed drain current  
Total dissipation  
Operating junction and  
storage temperature range  
-
-
24  
125  
150  
A
PD  
Tmb = 25 ˚C  
W
˚C  
Tj, Tstg  
- 55  
August 1998  
1
Rev 1.100  
1234567...9

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与PHP6ND50E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHP6ND50E127 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 5.9 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
PHP-700 MINI

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 		High Pass Filter, 640MHz, CASE A01, 8 PIN
PHP-700+ MINI

获取价格

 		High Pass Filter, 640MHz, ROHS COMPLIANT, CASE A01, 8 PIN
PHP71NQ03LT NXP

获取价格

 		TrenchMOS logic level FET
PHP71NQ03LT,127 NXP

获取价格

 		PHP71NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
PHP73N06T NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP75NQ08T NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP75NQ08T,127 NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
PHP78NQ03LT NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHP78NQ03LT,127 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46,

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